高解像度型VGA-InGaAs近赤外カメラNVU3VD

高解像度型VGA-InGaAs近赤外カメラNVU3VDは解像度が高く広いダイナミックレンジを有すると共に、光量の校正サービスが可能であるため、産業機器製造、部品材料製造、医療機関、各種研究機関など、定量的な検査・測定が必要な分野で高い評価を得てる信頼性に優れた近赤外カメラです。

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高解像度型VGA-InGaAs近赤外カメラNVU3VD:写真1本体
高解像度型VGA-InGaAs近赤外カメラNVU3VD:写真2本体+SWIRレンズ
高解像度型VGA-InGaAs近赤外カメラNVU3VD:写真3赤外顕微鏡に接続

高解像度型VGA-InGaAs近赤外カメラNVU3VDの特徴

高解像度型VGA-InGaAs近赤外カメラNVU3VDの使用例

暗視野赤外顕微鏡

LED暗視野照明を合わせて用いることにより、表面の光の反射を抑えた、シリコンの鮮明な透過画像を撮ることが可能になりました。

【検証例】Siチップを裏側より撮影した赤外画像。シリコンを透過してSiチップ電極の裏面を映し出すことができています。

ペルチエ素子内臓セラミックパッケージ

マルチスペクトラムイメージング技術

InGaAs近赤外カメラNVU3VDのマルチスペクトラムイメージングシステムは、波長の異なる照明条件で画像をとらえ、被写体成分を高精度に識別することができます。 次の画像は、多色赤外LEDで照射した対象物をNVU3VDを用いて撮影しています。

【検証例】
可視では透明の液体としか認識できませんが、InGaAs近赤外カメラNVU3VDで撮影すると、水と油性成分の波長の違いをとらえて、白黒の濃淡で表現できます。

ペルチエ素子内臓セラミックパッケージ

高解像度型VGA-InGaAs近赤外カメラNVU3VDのコア技術

ペルチエ素子内蔵型セラミックパッケージ

電子冷却モジュールを内蔵した、コンパクトなパッケージ。チップ温度5℃と常温(25℃)チップと画素の読み込み値の際を検証したところ、100fW/pixelで約8倍の感度が改善されました。

ペルチエ素子内臓セラミックパッケージ

内部電位障壁構造による高画素分

ピクセルアレイの密度を高めても、クロストークをほぼ限界まで抑制することができるため、解像度の高い鮮明な画像を提供します。

ペルチエ素子内臓セラミックパッケージ

仕様

InGaAs近赤外カメラNVU3VD:外形図
型番 NVU3VD
イメージングデバイス InGaAsセンサ
パッケージタイプ ペルチェ内蔵CLCC52
チップ撮像サイズ 9.6×7.7mm
画素サイズ 15×15um
画素数 640×512
レンズマウント Cマウント(適合レンズ 1/2インチ以上)
カメラ筐体寸法、重量 49W×49H×95Lmm、430g(レンズを除く)
分光感度 波長域 970~1650nm
量子効率 90%@1300nm, 84%@1500nm
ピクセルフォーマット 16bitグレースケール
フレームレート 10~60fps
シャッター方式 ローリングシャタ
冷却方式 PID制御ペルチェ内蔵型
(センサ温度~0℃ 於室温28℃)
ADC 16bit
デジタルI/F USB3 Vision
外部トリガ TTLトリガパルスにより、1フレーム分のイメージを送出
電源 6~24V 6W ACアダプター付属
推奨環境 OS windows7以降Intel Core i5または同等以上のプロセッサ(USB2でも動作可能)
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